19nm 2bit MLC成本更低更悭电SanDisk Ul

2020-06-04 380人围观 ,发现14个评论
19nm 2bit MLC成本更低更悭电SanDisk Ul

半导体发展持续增长,以前我们会着眼于CPU的速度可以快几多,后来慢慢转向至可再包含几多功能,同时,亦带动了储存工具静静起革命。40nm、25nm、24nm……到现在最新的19nm,应用于NAND Flash的製程技术越来越精细,直接让同面积的硅晶能够载入更多记忆单元,又可以减低成本。上次我们介绍了一款来自SanDisk,专门为硬碟进行快取的SSD产品,採用的是24nm eX3 MLC NAND颗粒;而今次我们收到另一个产品,採用了最新19nm eX2 ABL (All Bit Line) MLC NAND颗粒,名称为Ultra Plus的SSD製品。

19nm 2bit MLC成本更低更悭电SanDisk Ul◆ ABL结构比传统HBL结构效能更高更耐用

全新的SSD储存架构层
Ultra Plus原为流动平台而设,有64GB、128GB和256GB三个容量可供选择,而我们手上的是最高容量的256GB型号。所用的19nm eX2 MLC NAND颗粒是以SanDisk与Toshiba共同开发的19nm製程生产,属于2bit MLC设计。即使不是上一代24nm的3bit设计,但採用更细的19nm製程后,每Gb成本仍然较低,而且耗电量亦有所下调,尤其适合用于电量有限的流动平台上。其实早在上年四月,SanDisk已发表每个单元储存3bit的19nm eX3 ABL技术,可惜因为某些原因,如资料密度过高影响稳定性,而未推出市场。不过信相他日一旦推出,相关SSD的产品价格便会一再下降了。

Ultra Plus的主介面当然是SATA,支援6Gb/s,同时对下兼容3Gb/s及1.5Gb/s,旧机都可以用。SATA介面支援NCQ、S.M.A.R.T.,加上支援TRIM,动静态Wear-Leveling及Bad Block Management,一般SSD要有的功能都具备。根据官方的资料,Ultra Plus的连续读写速度达到530MB/s及445MB/s,属于主流级的水平。而设计上,为加强随机写入的效能,内部一共有三层储存结构:1. DDR DRAM作为第一重最高速但具挥发性(Volatile)的暂存体;2. 一款称为nCache技术的不挥发性(non-volatile) SLC快闪暂存体,用来储存资料分段(Segment);3. MLC快闪颗粒做大容量储存。由此产品看来,SSD的发展随了继续以更细的製程来压低每Gb的价格之外,还在结构上增加Cache的效能,以弥补MLC在细碎资料写入较慢的不足。官方称Ultra Plus所採用的主晶片是Marvell的88SS9175,而256GB型号内有4枚64GB MLC颗粒,可以推算只动用4条管道而未有用尽8条。伴随88SS9175的,有一枚SAMSUNG的枚粒,型号是K4T1G164QF-BCF7,容量是1Gbit (128MB),DDR2-800制式,用作刚才所说的第一重暂存。製程不断提升之余,结构更加完备,我们寄望SSD的价钱能够降到入门用家都较容易接受的水平。

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◆ Ulta Plus侧面观19nm 2bit MLC成本更低更悭电SanDisk Ul
◆ 标準SATA插头,大机Notebook都合用19nm 2bit MLC成本更低更悭电SanDisk Ul
◆ 底面有规格标籤19nm 2bit MLC成本更低更悭电SanDisk Ul
◆ 使用垫板,就可以将厚度调节到9mm

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